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SiC 肖特基二极管
中低压沟槽MOSFET
高压平面MOSFET
封装信息
LCG065R480LA4
Part Number
VDS (V)
650
ID (A)
8.8
RDS(ON) (mΩ) (Tj=25℃) - Typ.
437
RDS(ON) (mΩ) (Tj=175℃) - Typ.
568
Vth(V) - Typ.
3.8
Qg(nC)
9
Coss(pF)
13
PD (W) 25℃
45
Package
TO-252
暂无数据